Trung Quốc chế tạo thành công chip 1nm: Đột phá công nghệ vượt giới hạn vật lý 70 năm

Thành Vinh05/03/2026 17:02

Các nhà khoa học Đại học Bắc Kinh chế tạo thành công transistor 1nm hoạt động ở điện áp 0,6V, giúp tiết kiệm điện gấp 10 lần và mở ra kỷ nguyên mới cho chip AI.

Các nhà khoa học tại Đại học Bắc Kinh vừa công bố một bước đột phá quan trọng trong ngành công nghiệp bán dẫn khi chế tạo thành công transistor có kích thước chỉ 1 nanomet (1nm). Thành tựu này không chỉ phá vỡ giới hạn vật lý tồn tại suốt 70 năm qua mà còn giải quyết triệt để thách thức về hiệu suất năng lượng trên các dòng chip siêu nhỏ.

Giải mã thách thức 70 năm của ngành bán dẫn toàn cầu

Trong suốt bảy thập kỷ, việc thu nhỏ linh kiện điện tử luôn vấp phải rào cản về điện áp hoạt động. Dù các nhà khoa học có thể tạo ra các thành phần cực nhỏ, chúng thường đòi hỏi mức điện áp trên 1,5V để vận hành. Mức điện áp cao này gây ra sự không tương thích với nhân logic của chip, dẫn đến lãng phí điện năng nghiêm trọng và làm tăng độ trễ trong xử lý dữ liệu.

Chỉ 1nm, tiêu thụ điện năng cực thấp: Nhóm nghiên cứu Đại học Bắc Kinh đạt được bước đột phá về chip
Chỉ 1nm, Tiêu thụ điện năng cực thấp: Nhóm nghiên cứu Đại học Bắc Kinh đạt được bước đột phá về chip (Nguồn: Internet)

Để vượt qua giới hạn này, nhóm nghiên cứu tại Đại học Bắc Kinh đã ứng dụng vật liệu ống nano carbon kim loại làm cổng điều khiển. Khi kích thước cổng được thu nhỏ xuống 1nm, hiệu ứng tập trung điện trường mạnh mẽ cho phép transistor hoạt động ổn định chỉ với mức điện áp 0,6V. Đây là lần đầu tiên một bóng bán dẫn kích thước siêu nhỏ đạt được mức điện áp tương thích hoàn hảo với các bộ phận xử lý chính của chip.

Hiệu suất năng lượng đột phá và tốc độ xử lý siêu việt

Kết quả thử nghiệm cho thấy con chip mới sở hữu những thông số kỹ thuật ấn tượng, vượt xa các tiêu chuẩn quốc tế hiện nay. Cụ thể, transistor mới tiêu thụ điện năng chỉ ở mức 0,45 femtojoule trên mỗi micromet, thấp hơn gấp 10 lần so với các báo cáo công nghệ trước đó. Tốc độ thực hiện lệnh cũng đạt mức cực nhanh, chỉ mất khoảng 1,6 nanogiây (tương đương 1,6 tỷ phần của một giây).

Thông số kỹ thuậtGiá trị đạt được
Kích thước transistor1 nanomet (1nm)
Điện áp hoạt động0,6V
Mức tiêu thụ điện năng0,45 femtojoule/micromet
Tốc độ xử lý lệnh1,6 nanogiây
Sơ đồ 3D minh họa cấu trúc transistor siêu nhỏ
Sơ đồ 3D minh họa cấu trúc transistor siêu nhỏ (Nguồn: Internet)

Đáng chú ý, nhóm nghiên cứu ghi nhận một hiện tượng trái ngược với quy luật thông thường: khi linh kiện càng được thu nhỏ, hiệu quả hoạt động và độ ổn định lại càng tăng lên. Điều này mở ra tiềm năng to lớn cho việc sản xuất các thiết bị điện tử cầm tay với thời lượng pin dài hơn và hiệu năng mạnh mẽ hơn.

Lời giải cho bức tường bộ nhớ của chip AI

Bước tiến này đặc biệt có ý nghĩa đối với sự phát triển của trí tuệ nhân tạo (AI). Thế hệ transistor mới cho phép thực hiện tính toán ngay tại vị trí lưu trữ dữ liệu, thay vì phải di chuyển liên tục giữa bộ nhớ và bộ xử lý. Cơ chế này giúp xóa bỏ "bức tường bộ nhớ" – rào cản lớn nhất đang kìm hãm sức mạnh của các dòng chip AI hiện đại.

Thành tựu này khẳng định khả năng tự chủ công nghệ của Trung Quốc trong bối cảnh các lệnh trừng phạt quốc tế siết chặt từ năm 2022. Bằng cách tập trung đầu tư vào các giải pháp vật liệu mới như ống nano carbon, Trung Quốc đang dần định hình lại vị thế của mình trong cuộc đua bán dẫn toàn cầu, tạo ra những công nghệ thay thế có khả năng cạnh tranh trực tiếp với các tiêu chuẩn công nghệ hiện hành.

Thành Vinh