Percée dans la technologie informatique grâce aux semi-conducteurs atomiques
Des scientifiques viennent de créer un semi-conducteur utilisant un atome de phosphore sur une base de cristal de silicium, contribuant à augmenter la vitesse de traitement et de calcul des milliards de fois plus rapidement que les ordinateurs d'aujourd'hui.
Schéma du transistor atomique du professeur Simmons |
Ces travaux viennent d'être annoncés par un groupe de scientifiques de l'Université de Nouvelle-Galles du Sud (UNSW), de l'Institut coréen des sciences de l'information et de la technologie, de l'Université Purdue et de plusieurs universités de Sydney et de Melbourne, dirigés par le professeur Michelle Simmons.
La professeure Michelle Simmons et ses collègues annoncent avoir réussi à fabriquer un transistor à un seul atome (nanotransistor) en positionnant un atome de phosphore entre des électrodes métalliques, également en phosphore, sur la surface d'un cristal de silicium. Ce travail marque une première étape importante dans la fabrication de dispositifs atomiques.
Le dispositif est fabriqué à l'aide d'une technique de microscopie à effet tunnel (STM) et de lithographie par résine d'hydrogène. La surface d'une plaquette de silicium propre est recouverte d'une couche d'hydrogène gazeux, puis la pointe du STM (avec une tension appropriée) est utilisée pour éliminer l'hydrogène de zones spécifiques de la surface.
Lorsque la plaquette est exposée à la phosphine (PH3), la couche d'hydrogène restante agit comme un masque et le phosphore ne peut se lier qu'aux surfaces où l'hydrogène a été éliminé. Les scientifiques ont ainsi « inscrit » des nanostructures utilisant des atomes de phosphore dans des plaquettes de silicium.
Enfin, la nanostructure est fixée par revêtement d'une nouvelle couche de silicium qui maintient les atomes de phosphore fixés dans leurs positions.
Les transistors ont été créés dans les années 1950 et ont révolutionné l'industrie électronique. Depuis, leur taille a diminué pour permettre l'intégration d'un plus grand nombre de transistors sur un circuit double, permettant ainsi aux ordinateurs de calculer plus rapidement et de stocker davantage de données.
Environ tous les deux ans, le nombre de transistors sur une puce double selon la loi de
Auparavant, à la mi-2011, un certain nombre de grandes entreprises d'électronique dans le monde, dont Samsung, Intel, Toshiba... se sont associées pour mener à bien un projet de recherche visant à développer une technologie de fabrication de semi-conducteurs de nouvelle génération dans le but de réduire l'écart de 10 nm.
Ce projet devrait durer jusqu’en 2016.
Selon Tuoi Tre
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