Percée majeure dans la technologie informatique grâce aux semi-conducteurs atomiques
Des scientifiques viennent de créer un semi-conducteur utilisant un atome de phosphore sur une base de cristal de silicium, ce qui permet d'augmenter la vitesse de traitement et de calcul des milliards de fois par rapport aux ordinateurs actuels.
Schéma du transistor atomique du professeur Simmons |
Ces travaux viennent d'être annoncés par un groupe de scientifiques de l'Université de Nouvelle-Galles du Sud (UNSW), de l'Institut coréen des sciences et technologies de l'information, de l'Université Purdue et de plusieurs universités de Sydney et de Melbourne, dirigé par la professeure Michelle Simmons.
La professeure Michelle Simmons et ses collègues annoncent avoir réussi à fabriquer un transistor monoatomique (nanotransistor) en positionnant un atome de phosphore entre des électrodes métalliques, également en phosphore, sur la surface d'un cristal de silicium. Ces travaux constituent une première étape importante dans la fabrication de dispositifs atomiques.
Le dispositif est fabriqué à l'aide d'une technique de microscopie à effet tunnel (STM) et de lithographie par résine d'hydrogène. La surface d'une plaquette de silicium propre est recouverte d'une couche d'hydrogène gazeux, puis la pointe du STM (sous une tension appropriée) est utilisée pour éliminer l'hydrogène de zones spécifiques de la surface.
Lorsqu'une plaquette de silicium est exposée à la phosphine (PH3), la couche d'hydrogène résiduelle fait office de masque, et le phosphore ne peut se lier aux surfaces que dans les zones où l'hydrogène a été éliminé. Les scientifiques ont ainsi « écrit » des nanostructures à l'aide d'atomes de phosphore sur des plaquettes de silicium.
Enfin, la nanostructure est fixée par un revêtement d'une nouvelle couche de silicium qui maintient les atomes de phosphore fixes dans leurs positions.
Les transistors ont été inventés dans les années 1950 et ont révolutionné l'industrie électronique. Depuis, leur taille a été réduite afin d'augmenter le nombre de transistors intégrés sur un circuit double, permettant ainsi aux ordinateurs de calculer plus rapidement et de stocker davantage de données.
Environ tous les deux ans, le nombre de transistors sur une puce double selon la loi de
Auparavant, au milieu de l'année 2011, plusieurs grandes entreprises d'électronique mondiales, dont Samsung, Intel, Toshiba..., se sont associées pour mener un projet de recherche visant à développer une technologie de fabrication de semi-conducteurs de nouvelle génération dans le but de réduire l'écart de 10 nm.
Ce projet devrait durer jusqu'en 2016.
Selon Tuoi Tre
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