随着美国准备出台新的限制措施，中国人工智能半导体芯片的研发工作面临重重阻碍。

业内专家表示，如果美国的新限制措施扰乱韩国高带宽内存（HBM）芯片的供应，中国大陆将面临困境，因为国内缺乏替代产品。HBM芯片是一种采用先进封装技术垂直堆叠的动态随机存取存储器（DRAM），在现代图形处理器（GPU）和人工智能加速器的运行中发挥着核心作用。

路透社报道称，华盛顿政府正在考虑新的出口管制条例，以限制向中国出口先进芯片。此前，一些中国人工智能芯片制造商已无法从外国供应商处获得 7 纳米晶圆代工服务，而这对于开发先进的人工智能半导体至关重要。

根据台湾市场研究公司TrendForce的报告，韩国两大内存芯片巨头SK海力士和三星电子主导着全球HBM芯片市场，预计到2023年，两家公司将各自占据约48%的市场份额。目前，中国市场严重依赖韩国的内存芯片供应，而得益于市场对先进人工智能芯片的旺盛需求，三星和SK海力士今年上半年在中国的销售额大幅增长。

加拿大研究公司TechInsights的高级分析师崔正东表示：“如果中国无法进口HBM芯片，短期到中期内将遭受严重损失。”他还强调，中国使用的大部分HBM芯片，尤其是HBM2和HBM2E系列芯片，都由韩国两大巨头三星和SK海力士供应。

尽管获得了政府的大力财政支持，中国领先的DRAM制造商长鑫存储技术有限公司（CXMT）的HBM芯片仍未实现量产。尽管自2023年以来，CXMT一直在不懈努力缩小差距，但其技术仍至少落后于韩国竞争对手两代。

根据美国投资银行摩根士丹利分析师 Shawn Kim、Duan Liu 和 Michelle Kim 于 11 月 25 日发布的一份报告，制造商 CXMT 目前正与一家国内芯片测试和封装公司合作，开发国内首条 HBM 芯片生产线。

分析人士表示：“自 2022 年以来，这两家中国公司已在全球范围内注册了 100 多项与 HBM 芯片开发相关的专利。然而，商业化仍遥遥无期，而且由于美国监管压力下的技术获取限制，这些产品面临竞争力下降的风险。”

与中国领先的半导体代工厂中芯国际（SMIC）类似，CXMT也面临着美国对进口先进芯片制造设备的严格限制。为了遵守这些规定，CXMT只能使用17纳米和18纳米工艺技术生产DRAM和移动DRAM芯片。

与此同时，来自美国和韩国的竞争对手更进一步，采用了 10 纳米以下的先进技术节点，在制造能力和产品性能方面造成了巨大的差距。

据TechInsights的Jeongdong Choe称，CXMT目前正在研发第二代HBM2芯片。然而，预计要到2025年甚至更晚才能在中国实现量产。他还强调，即使CXMT能够实现大规模量产，其良率也可能在30%或更低，这一数字在全球市场难以竞争。

与此同时，SK海力士于2013年率先推出了全球首款HBM芯片，并在2018年推出了HBM2系列。就在两个月前，该公司继续引领行业发展，发布了12层HBM3E芯片，这是一款第五代产品，预计将于2025年成为主流。

值得注意的是，半导体制造商英伟达的新一代GPU产品线，如B300和GB300，预计将集成这种先进的配置，从而加强SK海力士在高性能内存芯片领域的地位。

然而，CXMT仍然被视为中国DRAM存储芯片领域最大的希望。据摩根士丹利称，CXMT的产能大幅提升，从2022年的每月5.7万片晶圆增至今年第四季度的每月21万片晶圆，占全球DRAM芯片产能的11%以上，取得了显著成就。这一成绩标志着CXMT在缩小与国际竞争对手差距方面迈出了重要一步。